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石材機械_機械密封用SiC生產過程

我工廠是生產機械密封的,為了把握SiC供給商的供給時候,特想了解一下SiC工廠生產產品的全部流程,請有經驗的伴侶供給.越具體越好. SiC陶瓷的生產工藝簡述以下: 1、SiC粉末的合成: SiC在地球上幾近不存在,僅在隕石中有所發現

是以,產業上利用的SiC粉末都為人工合成。今朝,合成SiC粉末的首要編制有: 1、Acheson法: 這是產業上采取最多的合成編制,即用電將石英砂和焦炭的同化物加熱至2500℃擺布高溫反應制得

仿形銑因石英砂和焦炭中凡是含有Al和Fe等雜質,在制成的SiC中都固溶有少量雜質。此中,雜質少的呈綠色,雜質多的呈玄色

2、化正當: 在必然的溫度下,使高純的硅與碳黑直接產生反應數控曲線鋸由此可合成高純度的β-SiC粉末。3、熱分化法: 使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機硅聚合物在1200~1500℃的溫度范圍內產生分化反應,由此制得亞微米級的β-SiC粉末

4、氣相反相法: 使SiCl4和SiH4等含硅的氣體和CH4、C3H8、C7H8和(Cl4等含碳的氣體或使CH3SiCl3、(CH3)2 SiCl2和Si(CH3)4等同時含有硅和碳的氣體在高溫下產生反應,由此制備納米級的β-SiC超細粉

石材機械 2、碳化硅陶瓷的燒結 1、無壓燒結 1974年美國GE公司經過過程在高純度β-SiC細粉中同時插手少量的B和C,采取無壓燒結工藝

龍門鋸于2020℃成功地獲得高密度SiC陶瓷。今朝,該工藝已成為制備SiC陶瓷的首要編制。美國GE公司研究者以為:晶界能與概況能之比小于1.732是致密化的熱力學條件,當同時添加B和C后

B固溶到SiC中,式帶鋸使晶界能下降,C把SiC粒子概況的SiO2還原除往,進步概況能,是以B和C的添加為SiC的致密化創造了熱力學方面的有益條件。但是

日本研究職員卻以為SiC的致密實在不存在熱力學方面的限制。還有學者以為,SiC的致密化機理多是液相燒結,他們發現:在同時添加B和C的β-SiC燒結體中

有富B的液相存在于晶界處陶瓷機械關于無壓燒結機理,今朝還沒有定論。以α-SiC為原料,同時添加B和C,也一樣可實現SiC的致密燒結。研究表白:單獨利用B和C作添加劑

無助于SiC陶瓷充分致密。只有同時添加B和C時,才能實現SiC陶瓷的高密度化。為了SiC的致密燒結,SiC粉料的比概況積應在10m2/g以上,且氧含量盡可能低

B的添加量在0.5%擺布,C的添加量取決于SiC原料中氧含量凹凸,凡是C的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。比來



有研究者在亞微米SiC粉料中插手Al2O3和Y2O3,在1850℃~2000℃溫度下實現SiC的致密燒結陶瓷深加工機械由于燒結溫度低而具有較著細化的微不雅布局

因此,其強度和韌性大大改良。2、熱壓燒結 50年代中期,美國Norton公司就開端研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金屬添加物對SiC熱壓燒結的影響。嘗試表白:Al和Fe是促進SiC熱壓致密化的最有效的添加劑

有研究者以Al2O3為添加劑,經過過程熱壓燒結工藝,也實現了SiC的致密化,并以為其機理是液相燒結。此外,還有研究者別離以B4C、B或B與C

Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C與C作添加劑,采取熱壓燒結,也都獲得了致密SiC陶瓷。研究表白:燒結體的顯微布局和力學、熱學等性能會因添加劑的種類分歧而異

如:當采取B或B的化合物為添加劑,熱壓SiC的晶粒尺寸較小,磨邊機但強度高。當選用Be作添加劑,熱壓SiC陶瓷具有較高的導熱系數。3、熱等靜壓燒結: 比來幾年來

為進一步進步SiC陶瓷的力學性能,研究職員進行了SiC陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究職員以B和C為添加劑,采取熱等靜壓燒結工藝

在1900℃便獲得高密度SiC燒結體。更進一步,經過過程該工藝,在2000℃和138MPa壓力下,成功實現無添加劑SiC陶瓷的致密燒結。研究表白:當SiC粉末的粒徑小于0.6μm時

即便不引進任何添加劑,經過過程熱等靜壓燒結,在1950℃便可使其致密化。如選用比概況積為24m2/g的SiC超細粉,瓷磚磨邊機采取熱等靜壓燒結工藝

在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。另外,Al2O3是熱等靜壓燒結SiC陶瓷的有效添加劑。而C的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結致密化不起感化

過量的C乃至會抑制SiC陶瓷的燒結。4、反應燒結: SiC的反應燒結法最早在美國研究成功。反應燒結的工藝過程為:先將α-SiC粉和石墨粉按比例混勻,經干壓、擠壓或注漿等編制制成多孔坯體

在高溫下與液態Si接觸,坯體中的C與滲透的Si反應,天生β-SiC,并與α-SiC相連系,過量的Si填充于氣孔,從而得到無孔致密的反應燒結體

反應燒結SiC凡是含有8%的游離Si。是以,為包管滲Si的完全,素坯應具有足夠的孔隙度。一般經過過程調劑最初同化料中α-SiC和C的含量,α-SiC的粒度級配

C的外形和粒度和成型壓力等手段來獲得恰當的素坯密度。嘗試表白,采取無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結的SiC陶瓷具有各別的性能特點。如就燒結密度和抗彎強度來講

熱壓燒結和熱等靜壓燒結SiC陶瓷相對較多,反應燒結SiC相對較低。另一方面,SiC陶瓷的力學性能還隨燒結添加劑的分歧而分歧。無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結SiC陶瓷對強酸、強堿具有良好的抵抗力

但反應燒結SiC陶瓷對HF等超強酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看,當溫度低于900℃時,幾近所有SiC陶瓷強度均有所進步;當溫度超越1400℃時,反應燒結SiC陶瓷抗彎強度急劇下降

(這是由于燒結體中含有必然量的游離Si,當超越必然溫度抗彎強度急劇下降而至)對無壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷,其耐高溫性能首要受添加劑種類的影響

總之,SiC陶瓷的性能因燒結編制分歧而分歧。一般說來,無壓燒結SiC陶瓷的綜合性能優于反應燒結的SiC陶瓷,但次于熱壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷

固然此內容是網上復制,只說了然先制粉后燒結這兩工序,但還是謝謝

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